B4P7-VH-R 时间：2025/10/11 7:06:29 阅读：5

B4P7-VH-R是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，结合高性能封装设计，能够在高频开关条件下实现低导通损耗和优异的热稳定性。B4P7-VH-R特别适用于需要紧凑尺寸与高功率密度的现代电子设备，如笔记本电脑适配器、LED照明驱动电源、便携式充电设备以及工业控制模块。其高可靠性设计满足AEC-Q101汽车级认证标准，因此也可用于车载电子系统中的低压直流电机驱动或负载开关应用。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力与稳健的栅极氧化层结构，提升了在恶劣工作环境下的长期运行安全性。得益于ROHM在功率半导体领域的深厚积累，B4P7-VH-R在性能与成本之间实现了良好平衡，成为众多中低电压功率应用的理想选择之一。

参数

产品类型：MOSFET
　　极性：N-Channel
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　连续漏极电流（ID）：28 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：110 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：6.7 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 14 A
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 14 A
　　阈值电压（Vth）：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：2200 pF @ VDS = 15 V
　　输出电容（Coss）：630 pF @ VDS = 15 V
　　反向恢复时间（trr）：26 ns
　　功耗（PD）：80 W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

特性

B4P7-VH-R的最显著特性之一是其超低导通电阻，在VGS为10V时典型值仅为6.7mΩ，这极大地降低了在大电流应用中的导通损耗，提高了整体系统效率。这种低RDS(on)得益于ROHM专有的沟道工艺优化与芯片布局设计，确保了载流子迁移率最大化并减少内部电阻路径。同时，在4.5V栅极驱动条件下仍能保持8.5mΩ的低导通电阻，使其兼容于3.3V或5V逻辑控制电路，适用于由PWM控制器直接驱动的同步整流拓扑。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有助于减少开关过程中的能量损耗，从而支持更高频率的操作。这对于提升电源系统的功率密度至关重要，尤其是在小型化DC-DC变换器中。此外，较低的输入和输出电容也意味着更短的充放电时间，加快了开关速度，减少了交叉导通风险。
　　热性能方面，B4P7-VH-R采用TO-252封装，具有优良的散热能力。通过将裸露的焊盘连接到PCB上的大面积铜箔，可有效传导热量，延长器件寿命并提高可靠性。该器件的最大功耗可达80W，并可在高达150°C的结温下持续工作，适合严苛环境下的长期运行。
　　安全保护特性方面，B4P7-VH-R具备强大的抗雪崩能量能力，能够承受瞬态过压事件而不发生永久损坏。其栅氧层经过严格工艺控制，耐压达±20V，防止因栅极过冲导致击穿。此外，内置体二极管具有较快的反向恢复时间（26ns），减少了在感性负载切换时的反向恢复损耗和噪声干扰，进一步增强了系统的稳定性。

应用

B4P7-VH-R被广泛用于各类中高功率开关模式电源系统中，特别是在同步整流型DC-DC降压变换器中作为主开关或同步整流管使用，因其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率。它也常见于电池供电设备的电源管理单元中，例如笔记本电脑、平板充电器和移动电源，用于实现高效的电压调节和负载切换控制。
　　在电机驱动领域，该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥电路，凭借其高电流承载能力和快速响应特性，能够实现精确的速度与方向控制，适用于打印机、扫描仪、电动工具及家用电器等设备。
　　此外，B4P7-VH-R还适用于LED照明驱动电源，特别是在恒流源设计中作为开关元件，帮助实现高效稳定的光输出。由于其符合AEC-Q101标准，该MOSFET也被应用于汽车电子系统中，如车灯控制模块、风扇驱动、电动座椅调节电路等低压动力控制系统。
　　在工业自动化与嵌入式系统中，B4P7-VH-R常用于热插拔控制器、负载开关、逆变器和UPS不间断电源等设备中，提供可靠的功率切换功能。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适合大规模SMT贴片工艺，提升了制造效率与产品一致性。