时间:2025/12/26 9:58:09
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B190B-13-F是一款由Skyworks Solutions Inc.生产的射频二极管,具体为PIN二极管。该器件广泛应用于射频和微波电路中,尤其在需要高速开关、衰减控制和信号路由的应用场景下表现出色。B190B-13-F采用小型化表面贴装封装(SOD-323),适合高密度PCB布局,并具备良好的高频性能和可靠性。该二极管设计用于处理较高的射频功率水平,同时保持较低的插入损耗和良好的线性度,是现代无线通信系统中的关键元件之一。其制造工艺确保了稳定的电气特性与出色的温度稳定性,适用于工业、商业及部分军用级别的设备中。由于其优异的开关速度和低失真特性,B190B-13-F常被用于天线调谐、功率放大器偏置、射频开关模块以及可变衰减器电路中。
这款器件的工作频率范围覆盖从几十MHz到数GHz,能够满足多种无线标准的需求,如GSM、WCDMA、LTE、Wi-Fi以及5G sub-6GHz频段等。它具有较低的结电容和正向导通电压,有助于提升系统效率并降低功耗。此外,B190B-13-F符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的要求。其封装结构也优化了热传导性能,能够在较宽的环境温度范围内稳定工作,增强了系统的整体可靠性。
型号:B190B-13-F
制造商:Skyworks Solutions Inc.
二极管类型:PIN二极管
封装类型:SOD-323
最大反向电压:70V
最大平均整流电流:100mA
结电容(典型值):0.19pF @ 4V, 1MHz
串联电阻(Rs):1.2Ω
热阻(RθJA):350°C/W
工作温度范围:-65°C ~ +175°C
存储温度范围:-65°C ~ +175°C
峰值功率容量:200W(典型值)
开关时间(tr/tf):5ns(典型值)
B190B-13-F作为一款高性能的PIN二极管,在射频应用中展现出卓越的电气与物理特性。其核心优势之一是极低的结电容(典型值仅为0.19pF @ 4V),这一参数对于高频电路至关重要,因为它直接影响信号的耦合损耗和截止频率。低结电容使得该二极管在GHz级别的射频频段下仍能保持良好的响应能力,有效减少高频信号的衰减,从而提升整个射频链路的传输效率。同时,其串联电阻(Rs)仅为1.2Ω,进一步降低了导通状态下的插入损耗,提高了系统的功率传输效率,特别适用于对信号完整性要求严格的场合。
另一个显著特点是其快速的开关时间,典型值为5ns,这使其非常适合用于高速射频开关应用。在TDD(时分双工)系统或需要动态切换天线路径的设备中,这种快速响应能力可以显著提高系统的实时性和吞吐量。此外,该器件具备高达70V的最大反向电压耐受能力,增强了其在瞬态电压冲击或高功率驻波比(VSWR)环境下的鲁棒性,避免因电压击穿导致的永久性损坏。
B190B-13-F还具备出色的功率处理能力,能够承受高达200W的峰值射频功率,适用于高功率发射模块中的保护电路或功率控制单元。其宽广的工作温度范围(-65°C 至 +175°C)确保了在极端环境条件下的稳定性,无论是高温工业环境还是低温户外部署都能可靠运行。此外,SOD-323的小型封装不仅节省PCB空间,而且便于自动化贴片生产,提升了制造效率和产品一致性。综合来看,这些特性使B190B-13-F成为现代无线基础设施、移动终端和射频测试设备中不可或缺的关键组件。
B190B-13-F广泛应用于各类射频和微波电子系统中,尤其是在需要高效、高速信号控制的场景下发挥着关键作用。其主要应用领域包括移动通信基站、智能手机、平板电脑、无线局域网(Wi-Fi)设备以及射频测试仪器等。在蜂窝通信系统中,该二极管常用于天线调谐模块,通过动态调整天线匹配网络来优化不同频段下的辐射效率,特别是在多频段多模手机中实现宽带匹配和阻抗调节。此外,在射频开关电路中,B190B-13-F可用于选择不同的发射或接收路径,例如在主集天线与分集天线之间进行切换,或者在不同频段的滤波器之间进行路由,确保信号路径的最优配置。
在功率放大器(PA)模块中,该器件可用于实现增益控制或故障保护功能。例如,在检测到输出端出现严重失配时,可通过PIN二极管将射频信号旁路或切断,防止功率放大器因过压或过流而损坏。此外,它也可用于构建可变衰减器(如T型或π型衰减网络),通过调节偏置电流改变二极管的等效阻抗,从而实现精确的信号幅度控制,适用于自动增益控制(AGC)系统或发射功率调节电路。
由于其高可靠性和良好频率响应,B190B-13-F也被用于航空航天、雷达系统和卫星通信等高端领域。在这些应用中,元器件必须在严苛环境下长期稳定工作,而该二极管的宽温特性和高功率承受能力正好满足此类需求。同时,其符合RoHS标准的设计也使其适用于全球市场的消费类电子产品出口,无需担心环保合规问题。总体而言,B190B-13-F凭借其多功能性和高适应性,已成为现代射频工程设计中的优选器件之一。
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