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IXSH24N60AU1 发布时间 时间:2025/8/6 12:03:47 查看 阅读:36

IXSH24N60AU1 是一款由 Littelfuse(原 IXYS Corporation)制造的高性能 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高功率开关电源、电机驱动、逆变器、充电系统等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适合于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压 Vds:600V
  漏极电流 Id(最大):24A(Tc=25℃)
  导通电阻 Rds(on):典型值 0.21Ω(最大值 0.27Ω)
  栅极电压 Vgs:±30V
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-247
  功率耗散(Ptot):200W

特性

IXSH24N60AU1 具备多项优异的电气和热性能特性。其最大漏源电压为 600V,能够承受较高的电压应力,适用于各种高压应用环境。该 MOSFET 的导通电阻非常低,典型值仅为 0.21Ω,使得在导通状态下的功率损耗大幅降低,从而提高整体系统的效率。此外,该器件在 25℃外壳温度下可承载高达 24A 的漏极电流,具备良好的电流承载能力。
  该器件采用 TO-247 封装,具备良好的散热性能,适合高功率密度应用。其栅极电压范围为 ±30V,确保在各种驱动条件下都能稳定工作。工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃,适用于各种严苛环境条件。此外,该 MOSFET 内部具有快速恢复二极管(FRD)结构,有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。
  IXSH24N60AU1 还具备出色的雪崩能量承受能力,增强了器件在高压冲击条件下的稳定性和可靠性。这使得它在诸如电源转换器、逆变器、UPS 系统、电机控制和太阳能逆变器等高要求应用中表现出色。

应用

IXSH24N60AU1 被广泛应用于各种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、电焊机、感应加热设备以及工业自动化控制系统。由于其内置的快速恢复二极管和低导通电阻特性,该器件特别适合用于高频开关电路中,以提高能效和减小系统体积。此外,在新能源领域,如光伏逆变器和电动汽车充电模块中,该 MOSFET 也常被用于实现高效的能量转换。

替代型号

IXFH24N60P、IXSH24N60AU、IXSH27N60A、STW24NK60Z、IRGPC50K

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IXSH24N60AU1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,24A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)48A
  • 功率 - 最大150W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件