时间：2025/8/6 8:06:19
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IXSH15N120BD1是一款由IXYS公司生产的高功率、高速、N沟道MOSFET器件，广泛用于各种高电压和高电流的应用场合，如开关电源、电机控制、逆变器、DC-DC转换器等。该器件采用了先进的硅技术，具备良好的导通特性和较低的开关损耗。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.38Ω
功率耗散（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
IXSH15N120BD1具有多项卓越的性能特点。首先，其高电压耐受能力达到1200V，适用于各种高压应用场合。其次，该器件的最大漏极电流为15A，能够满足高功率需求。导通电阻仅为0.38Ω，使得在导通状态下的功率损耗更低，提高了整体效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温度环境下稳定工作。
在封装方面，IXSH15N120BD1采用TO-247AC封装，具有良好的散热性能，便于安装和使用。其高速开关特性使得该器件在高频应用中表现出色，减少了开关损耗，提高了系统效率。此外，该器件还具备较强的抗静电能力和可靠性，适合在工业环境中长期使用。
IXSH15N120BD1适用于多种高电压和高电流应用。常见的应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器、UPS系统、太阳能逆变器、电焊机、DC-DC转换器等。在这些应用中，该器件能够提供高效的功率转换能力，同时保持较低的导通和开关损耗。由于其高可靠性和热稳定性，也常用于工业自动化设备、电源管理系统以及高功率LED照明系统中。
IXSH15N120AF、IXSH15N120BD2、IXFH15N120Q
