时间：2025/8/6 7:37:46
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IXSH10N60B2D1 是一款由 IXYS 公司制造的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高功率的应用场合。这款 MOSFET 采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。它适用于各种电源转换设备，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机控制和功率因数校正（PFC）系统。IXSH10N60B2D1 采用 TO-247 封装形式，确保了良好的散热性能，适用于工业级工作温度范围。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：10A
最大漏-源电压：600V
导通电阻（RDS(on)）：0.68Ω（最大）
栅极电压范围：±30V
漏极-源极击穿电压：600V
连续漏极电流（ID）：10A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXSH10N60B2D1 提供了低导通电阻（RDS(on)）的特点，从而降低了导通损耗并提高了效率，这在高功率应用中尤为重要。
该器件采用了先进的平面工艺技术，确保了优异的热性能和稳定性，能够在高负载条件下可靠运行。
它的快速开关能力可以减少开关损耗，使该器件适用于高频操作，从而缩小外部元件的尺寸并提高整体系统的效率。
TO-247 封装设计提供了优良的热管理和机械稳定性，能够适应恶劣的工业环境。
此外，IXSH10N60B2D1 具有较高的耐用性和长期可靠性，广泛应用于各种高功率和高电压的电力电子设备中。
IXSH10N60B2D1 主要应用于各种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、功率因数校正（PFC）电路以及电机驱动控制系统。
由于其高耐压能力和良好的热性能，该器件也非常适合用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、照明系统和电力电子变换器。
此外，IXSH10N60B2D1 还广泛用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备，确保高效稳定的电力转换与控制。
IXFH10N60P
IRFP460
STP12NM60ND
SiHP06N60EF
