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1N5363BRL 发布时间 时间:2025/5/8 1:30:26 查看 阅读:16

1N5363BRL是一种常见的硅雪崩整流二极管,属于1N5363系列。该二极管主要用于电路中的瞬态电压抑制(TVS)保护功能,能够有效吸收高能量浪涌脉冲并将其限制在安全范围内,从而保护敏感的电子设备免受损坏。
  这种器件广泛应用于电源线路、数据通信接口以及各种工业和消费类电子产品中。

参数

最大反向工作电压:20V
  击穿电压:24V
  峰值脉冲电流:173A
  最大反向电流:1μA(在20V下)
  电容:~400pF
  功率耗散:500W(峰值脉冲功率)
  封装形式:DO-205AD

特性

1N5363BRL具有快速响应时间,通常小于1ps,能够在极短时间内对瞬态电压作出反应,从而提供高效的保护功能。
  此外,它还具备较高的浪涌电流承受能力,能够多次吸收高能量脉冲而不损坏。其稳定的电气性能和可靠性使其非常适合于需要长期稳定运行的应用场景。
  同时,1N5363BRL采用轴向引线封装,便于安装与散热,适合表面贴装和通孔焊接工艺。

应用

该器件适用于多种应用场景,例如交流电源输入端口的过压保护、雷击防护、ESD(静电放电)保护以及电机启动时产生的反电动势抑制等。
  在通信领域,1N5363BRL可用于RS-232、RS-485等串行接口的信号线保护,确保数据传输的安全性和稳定性。
  另外,在汽车电子系统中,这款二极管也可以用作车载电池电压波动的保护元件。

替代型号

1N5363BRG, SMBJ20A, P6KE24CA

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1N5363BRL参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)30V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 22.8V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装剪切带 (CT)
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5363BRLOSCT