时间：2025/8/6 2:17:28
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IXPQ96N15P 是一款由 IXYS 公司制造的高性能 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及需要高效率和高可靠性的开关电路中。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术，具有低导通电阻、高耐压以及快速开关特性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：150 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：96 A
导通电阻（RDS(on)）：≤ 9.6 mΩ @ VGS = 10 V
功率耗散（PD）：320 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IXPQ96N15P 的核心优势在于其出色的导通性能与热稳定性。该器件具有极低的 RDS(on)，可显著降低导通损耗，从而提高系统效率。其高达 150V 的漏源击穿电压使其适用于中高压应用，如工业电源、电动汽车充电系统和太阳能逆变器等。此外，该 MOSFET 内部结构优化，具备良好的抗雪崩能力，提高了器件在高能脉冲环境下的可靠性。
该器件采用了 TO-247 封装，具有良好的热管理和散热能力，适合高功率密度设计。同时，其栅极设计具有良好的抗干扰能力，使得器件在高频开关应用中表现稳定。IXPQ96N15P 还具备快速恢复二极管特性，有助于减少开关损耗并提升整体系统性能。此外，该器件符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
IXPQ96N15P 主要应用于需要高电流、高耐压和高效能的电力电子系统中。例如，在工业自动化设备中，它被广泛用于电机驱动和电源模块；在新能源领域，该器件适用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块；在汽车电子中，该 MOSFET 可用于电动车充电模块和电池管理系统（BMS）中的开关控制。此外，它也适用于各种 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）和开关电源（SMPS）等应用场景。
IXFN96N150P, IXFP96N150P, IRFP4468PBF, SCT3082ASTMR
