类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：600V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

IXPN60N60的主要特性包括高耐压能力，能够承受高达600V的漏极-源极电压，这使得它非常适合用于高电压开关电路。此外，其导通电阻仅为0.18Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏极电流额定值为60A，具备强大的电流处理能力。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够在高功率环境下稳定运行。栅极-源极电压范围为±20V，确保了栅极驱动的稳定性并防止过压损坏。此外，IXPN60N60的热阻较低，使其在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而提高了器件的可靠性和寿命。
　　该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。其快速恢复时间和低开关损耗有助于提高整体系统效率。IXPN60N60还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保护自身免受损坏。

IXPN60N60广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中，例如电源供应器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。在电源管理领域，该MOSFET可用于构建高效的开关电源和DC-DC转换器，提供稳定的电压转换和高效的能量传输。
　　在电机控制应用中，IXPN60N60可以作为功率开关器件，用于控制电机的启停和速度调节。由于其高电流能力和快速开关特性，能够有效减少开关损耗并提高电机效率。此外，在工业自动化设备中，该器件可用于构建高可靠性的开关电路，支持复杂的控制逻辑和高效能操作。
　　该MOSFET也适用于高频逆变器设计，如太阳能逆变器和UPS系统中的DC-AC转换电路，能够有效提升转换效率并降低系统发热。此外，IXPN60N60还可以用于构建高效率的电池充电电路，支持快速充电和精确的电流控制。

IRFP460, FDPF460, STP60N60Z