IXKT70N60C5-TRL 时间：2025/8/5 19:57:05 阅读：32

IXKT70N60C5-TRL 是由 IXYS 公司生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 专为高功率密度应用设计，适用于需要高效率和低导通电阻的电源转换系统。其封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，适用于工业电源、电机控制、DC-DC 转换器等高功率应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：70A
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 70mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

IXKT70N60C5-TRL 采用先进的沟槽栅极技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。
　　该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行。
　　其高耐压能力（600V）使其适用于多种高电压应用，包括开关电源（SMPS）、工业电机驱动和逆变器系统。　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽泛（±20V），兼容多种驱动电路设计，提升了设计灵活性。
　　器件的可靠性和耐用性也得到了优化，适用于严苛的工业环境。

应用

IXKT70N60C5-TRL 常用于高功率密度和高效率要求的电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器和逆变器。
　　在电机控制应用中，它可用于驱动高功率直流电机或步进电机，提供高效的能量传输。
　　该器件还适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统以及太阳能逆变器等可再生能源系统。
　　由于其高耐压和低导通电阻特性，也广泛用于高频电源转换和功率因数校正（PFC）电路中。
　　在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）系统中，该 MOSFET 可用于车载充电器和动力系统控制模块。