IXKN75N60 时间：2025/8/6 4:03:46 阅读：18

IXKN75N60是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET具有较高的导通性能和较低的导通电阻，能够在高达600V的工作电压下提供高达75A的连续漏极电流。其设计使其适合用于工业控制、电源转换、马达驱动和高频开关电路等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：75A
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.11Ω
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXKN75N60具有多个关键特性，使其在高性能应用中表现优异。首先，其低导通电阻降低了导通损耗，从而提高了整体效率。其次，该器件支持较高的栅极电压，允许更精确的开关控制。此外，IXKN75N60采用了先进的平面技术，提供了优异的热稳定性和长期可靠性。该MOSFET还具有快速的开关速度，适合用于高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸并提升系统性能。在热管理方面，器件的封装设计有助于有效散热，确保在高负载条件下也能稳定运行。此外，该器件具有较高的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态条件下提供额外的安全保障。

应用

IXKN75N60广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的场景。常见用途包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）系统以及各种工业自动化设备。由于其优异的开关特性和热稳定性，该器件也适用于高频逆变器和光伏逆变器等新能源领域。另外，在汽车电子和电动车辆（EV）系统中，IXKN75N60可用于电机驱动和能量管理系统。