时间：2025/7/2 15:45:59
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HMK212B7472KGHT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和良好的热性能等优势，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
该芯片的主要特点是其在高压下的优异表现以及较低的导通损耗，适合需要频繁开关操作的应用场景。
型号：HMK212B7472KGHT
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vdss)：700V
连续漏极电流(Id)：16A
栅极电荷(Qg)：75nC
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
HMK212B7472KGHT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有效减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高额定电压Vdss（700V），确保其能在高压环境下稳定运行。
3. 支持大电流处理能力，峰值电流可达16A以上，适合各种工业应用。
4. 快速开关速度，栅极电荷较小，从而降低开关损耗。
5. 优化的热性能设计，提升散热能力以延长使用寿命。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这款MOSFET适用于多种领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业控制中用于电机驱动、变频器及逆变器电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
5. 各种需要高频开关操作的功率转换电路。
HMK212B7472KGHT凭借其卓越的性能，在这些领域中表现出色，是工程师们实现高效、可靠设计的理想选择。
HMK212B7472KGHTR, IRFP460, STP16NF70
