型号：CY7C2170KV18-400BZXC
　　制造商：Infineon Technologies
　　存储容量：16 Mbit (1024 K × 16)
　　组织结构：1048576 words × 16 bits
　　工作电压：1.7 V 至 1.9 V（VDD）
　　最大访问时间：40 ns
　　时钟频率：无（异步SRAM）
　　输入/输出电平：LVTTL兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：165-ball BGA (11 × 13 mm)
　　引脚数量：165
　　封装形式：Fine-pitch BGA
　　功耗类型：低功耗CMOS
　　刷新模式：无需刷新（静态RAM）
　　读写控制：独立的片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号
　　数据保持电压：最小1.5 V
　　最大写周期时间：40 ns
　　输出驱动能力：8 mA（典型值）
　　三态输出：支持
　　封装湿度敏感等级：MSL 3

CY7C2170KV18-400BZXC具备多项关键特性，使其在高可靠性与高性能存储应用中表现出色。首先，该器件采用先进的CMOS工艺制造，显著降低了动态和静态功耗，尤其适合电池供电或热管理严格的系统使用。其核心电压仅为1.8V ±0.1V，在保证高速运行的同时减少了整体能耗。其次，该SRAM提供40ns的访问时间，支持快速的数据读取与写入操作，满足实时处理系统的延迟要求。异步接口设计无需外部时钟同步，简化了系统时序设计，并提高了与其他逻辑器件的兼容性。
　　该芯片具有全静态操作特性，只要供电持续存在即可无限期保持数据内容，无需像DRAM那样周期性刷新，从而降低系统复杂性和功耗开销。其并行16位数据总线结构可实现较高的数据吞吐率，适用于图像缓冲、帧存储、协议转换和高速缓存等应用场景。所有输入端均内置施密特触发器，增强了抗噪声能力，提升了信号完整性，特别是在长走线或多负载情况下仍能稳定工作。
　　器件支持低功耗待机模式，当片选信号（CE）无效时自动进入低功耗状态，进一步节省能源。写保护机制通过多重控制信号（CE、WE、OE）协同作用，防止误写操作，保障数据完整性。165-ball BGA封装不仅减小了占板面积，还提供了优良的散热性能和电气连接可靠性。此外，该器件通过AEC-Q100认证的可能性较小（因其非车规定位），但仍在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）保持参数一致性，确保极端环境下的稳定运行。
　　在制造和测试方面，Infineon对该型号执行严格的质量控制流程，包括高温老化测试、电参数筛选和可靠性验证，以确保长期使用的耐用性。同时，该SRAM支持多芯片堆叠（可通过封装堆叠技术实现更高密度内存配置），便于扩展系统内存容量而不增加布板面积。综上所述，CY7C2170KV18-400BZXC凭借其低功耗、高速度、高可靠性和紧凑封装，成为现代嵌入式系统中理想的高性能SRAM解决方案。

CY7C2170KV18-400BZXC广泛应用于多个对性能和稳定性要求较高的电子系统中。在通信基础设施领域，它常用于路由器、交换机和基站设备中的数据包缓冲区、队列管理和临时存储单元，利用其高速读写能力提升数据转发效率。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制卡的数据暂存与实时变量存储，确保控制指令的快速响应与执行。
　　在医疗电子设备中，如便携式监护仪、成像系统和诊断仪器，该SRAM用于图像帧缓冲和传感器数据采集缓存，凭借其低功耗特性延长设备续航时间，并在断电前快速保存关键信息。消费类电子产品如高端打印机、扫描仪和智能家电也采用此类器件作为主控MCU的外扩高速内存，提升系统整体响应速度。
　　此外，在测试与测量仪器（如示波器、频谱分析仪）中，CY7C2170KV18-400BZXC可用于高速采样数据的临时存储，配合FPGA或DSP进行实时信号处理。航空航天与国防领域的部分非宇航级电子模块也可能选用该器件，用于雷达信号预处理、导航系统数据缓存等任务，在确保可靠性的前提下兼顾性能需求。由于其工业级温度适应能力和长期供货保障，该芯片也是许多长期部署项目的优选存储方案。

CY7C2170KV18-400BZXI
　　IS61WV102416BLL-400MLI
　　MT48LC16M16LFB-400:K