IXKK85N60C 时间：2025/8/6 11:45:40 阅读：28

IXKK85N60C是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流能力的N沟道功率MOSFET，适用于各种高功率和高效率的电力电子应用。该器件采用TO-247封装形式，具有低导通电阻（Rds(on)）以及优异的热性能，能够提供出色的功率处理能力。

参数

类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　沟道类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：85A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.085Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXKK85N60C的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件的高漏源电压能力（600V）使其适用于需要高电压操作的应用。此外，该MOSFET具有较高的栅极阈值电压稳定性，确保在各种工作条件下能够可靠导通和关断。
　　其TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于在高电流应用中保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，可以在瞬态条件下提供额外的安全裕度。
　　IXKK85N60C还具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，并支持高频操作。这对于现代电源转换器和电机控制应用尤为重要。此外，该器件的制造工艺确保了良好的器件间一致性，使其适用于并联使用以提高系统功率能力。

应用

IXKK85N60C广泛应用于各种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、电池充电器以及工业自动化设备。在开关电源应用中，该器件用于构建高效的DC-DC转换器和AC-DC电源模块，以实现高效率和紧凑的设计。在电机控制和驱动器应用中，IXKK85N60C用于实现高性能的功率调节和速度控制。
　　此外，该MOSFET也可用于高频感应加热系统、UPS（不间断电源）以及太阳能逆变器等可再生能源系统中。由于其高可靠性和优异的热性能，它还适用于需要长时间稳定运行的工业和自动化控制系统。