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IXGX55N120A3D1 发布时间 时间:2025/8/6 4:37:02 查看 阅读:24

IXGX55N120A3D1是一款由Littelfuse(前身为IXYS Corporation)制造的高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于需要高效率和高可靠性的高功率应用。该器件采用先进的沟道技术,具备低导通压降和开关损耗的特性,适用于工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、不间断电源(UPS)和电焊设备等场景。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):55A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247AC(三引脚)
  短路耐受能力:有
  栅极驱动电压:±20V

特性

IXGX55N120A3D1采用了先进的沟槽型IGBT技术,使其在导通压降和开关损耗之间实现了优化平衡,从而提高了整体能效。该器件具有出色的短路和过载耐受能力,能够在高应力条件下稳定运行,提升了系统的可靠性和安全性。
  此外,该IGBT具备较高的工作温度耐受能力,能够在高温环境下运行,适用于需要高热稳定性的应用。其封装设计符合工业标准,便于散热和安装,同时支持快速和可靠的电路集成。
  器件还具有较低的电磁干扰(EMI)特性,有助于减少外围滤波电路的设计复杂性。同时,其内部结构设计降低了寄生电感,有助于提高开关性能和系统效率。这些特性使IXGX55N120A3D1成为高性能功率电子系统中的理想选择。

应用

IXGX55N120A3D1广泛应用于高功率电子设备中,例如工业电机驱动、太阳能逆变器、电焊机、不间断电源(UPS)以及电力调节系统等。在电机控制应用中,它能够提供高效的功率转换和可靠的运行性能。在可再生能源领域,如太阳能逆变器,该IGBT能够有效提升能量转换效率,满足高能效标准。在电焊设备中,其高耐流能力和快速开关特性可确保稳定的焊接质量和高效的能量传输。

替代型号

IXGH55N120T、IXGH55N120A3D1、IXGX60N120A3D1

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IXGX55N120A3D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)-
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)-
  • 功率 - 最大-
  • 输入类型-
  • 安装类型*
  • 封装/外壳*
  • 供应商设备封装*
  • 包装*