IXGT32N90B2D1
时间:2023/3/6 14:40:01
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制造商: IXYS
封装 / 箱体: TO-268
集电极—发射极最大电压 VCEO: 900 V
概述
制造商: IXYS
封装 / 箱体: TO-268
集电极—发射极最大电压 VCEO: 900 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 64 A
封装: Tube
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
IXGT32N90B2D1参数
- 标准包装30
- 类别分离式半导体产品
- 家庭IGBT - 单路
- 系列HiPerFAST™
- IGBT 类型-
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)900V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,32A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)64A
- 功率 - 最大300W
- 输入类型标准型
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
- 供应商设备封装TO-268
- 包装管件