时间：2025/6/20 10:31:49
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500X14N101MV4T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛适用于各种电源管理和功率转换场景。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，其主要特点是能够在高频工作条件下提供出色的性能表现，同时保持较低的功耗和热量产生。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：ton=15ns, toff=12ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
500X14N101MV4T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，确保高效功率传输并减少发热。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
5. 具有良好的热稳定性和电气性能，适应恶劣的工作条件。
6. 提供表面贴装封装选项，便于自动化生产和紧凑型设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 电动工具、电机驱动和其他工业控制设备中的功率调节。
3. 太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
4. DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
5. 各类负载开关和保护电路的设计。
6. 高效节能的家电产品，如空调、冰箱等。
IRF540N, STP55NF06L, FDP5570N
