时间：2025/8/6 4:16:11
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IXGT32N90B2是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，具有高功率处理能力、快速开关特性以及高可靠性，适用于各种需要高效功率转换的电路。该器件采用TO-247封装形式，适用于工业电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
连续漏极电流（ID）：32A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.18Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXGT32N90B2具备出色的导通和开关性能，其高耐压能力（900V）使其适用于高电压环境下的功率转换系统。该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
此外，该器件采用先进的平面技术，具有良好的热稳定性和高雪崩能量耐受能力，增强了其在苛刻工作条件下的可靠性。其快速恢复特性使其适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的尺寸并提高响应速度。
TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合用于高功率密度设计。该器件还具备优异的短路耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
IXGT32N90B2广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机控制和驱动电路、DC-DC转换器以及电动车辆充电系统。其高电压和大电流能力使其在高压直流电源转换和高频开关电路中表现出色。
IXFN32N90T2、IXFH32N90P、IXGT32N80B2、STF32N90K5、SPW32N90C3
