晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：150 mW
　　截止频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据等级不同）
　　噪声系数（NF）：0.8 dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

RB306S 的主要特性之一是其优异的高频性能，截止频率（fT）高达 250 MHz，使其非常适合用于射频和中频放大器电路。该晶体管的噪声系数较低，典型值为 0.8 dB，能够在低噪声放大器设计中提供出色的信噪比表现，广泛应用于无线通信和广播接收设备。此外，RB306S 的 hFE（电流增益）范围较宽，根据不同等级可在 110 至 800 之间变化，使得设计者可以根据具体应用需求选择合适的器件，从而优化电路性能。
　　在结构方面，RB306S 采用 SOT-23 小型封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的热稳定性和机械强度。其最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 50 V，能够在中等功率范围内稳定工作，适用于多种中高频电路应用场景。
　　另外，RB306S 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具备良好的环境适应性，适合在工业级和汽车电子等严苛环境中使用。该器件的制造工艺成熟，一致性好，可靠性高，是许多高频放大和低噪声应用中的优选晶体管。

RB306S 主要应用于高频放大器、低噪声放大器（LNA）、射频接收前端、无线通信模块、FM/AM 收音机电路、CATV 设备、测试仪器以及便携式电子设备中的信号放大电路。由于其优异的噪声性能和高频响应，特别适用于无线基站、Wi-Fi 模块、蓝牙设备、GPS 接收器等射频前端电路中的前置放大级。此外，在工业控制、传感器信号调理、音频前置放大等场景中，RB306S 也能发挥良好的性能。

2N3904, BC547, BFQ59, 2SC3355