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IXGT30N60C2D1 发布时间 时间:2025/8/6 2:15:41 查看 阅读:18

IXGT30N60C2D1是一款由IXYS公司推出的高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率半导体器件。该器件设计用于高电压和高电流应用,具有低导通压降和出色的开关性能。它采用TO-247封装形式,适合用于工业电机控制、逆变器、电源转换以及各种电力电子系统。IXGT30N60C2D1的工作电压为600V,额定电流为30A,具备高可靠性和耐久性。

参数

类型:IGBT
  封装类型:TO-247
  最大集电极-发射极电压(Vce):600V
  额定集电极电流(Ic):30A
  最大栅极-发射极电压(Vge):±20V
  导通压降(Vce_sat):典型值2.1V(在Ic=30A时)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  最大功耗(Pd):125W
  短路耐受能力:有
  安装类型:通孔安装

特性

IXGT30N60C2D1采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,显著降低了导通损耗和开关损耗。该IGBT具有优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。器件内部集成了快速恢复二极管(FRD),使得其在高频开关应用中表现出色,同时减少了外部元件数量和系统复杂度。此外,该器件具备较强的短路耐受能力,提高了系统的可靠性和安全性。TO-247封装提供了良好的散热性能,确保器件在高负载条件下稳定工作。
  在电气特性方面,IXGT30N60C2D1的导通压降较低,有助于减少功率损耗并提高系统效率。其栅极驱动需求较低,简化了驱动电路的设计。该IGBT的开关速度较快,适用于需要高频操作的应用场合。此外,该器件的热阻较低,能够有效地将热量传导至散热器,从而延长器件的使用寿命。

应用

IXGT30N60C2D1广泛应用于各种电力电子设备中,如交流电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业自动化控制系统。该器件特别适用于需要高效能、高可靠性和紧凑设计的电源转换系统。其集成的快速恢复二极管使其在桥式拓扑结构中表现优异,常用于PWM逆变器和DC-AC转换器中。

替代型号

IXGT30N60C2D1G, IXGH30N60C2D1, IXGH30N60C2D1G

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IXGT30N60C2D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,24A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)70A
  • 功率 - 最大190W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件