IXGT28N120B 是一款由 Littelfuse(前身为 IXYS Corporation)制造的高电压、大电流 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件结合了 MOSFET 的易驱动特性和双极型晶体管的低导通压降优势,适用于需要高效能和高可靠性的工业电力电子系统。
类型:N沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):28A(在25°C)
短路耐受能力:600V/28A(特定条件下)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247AC
栅极阈值电压(VGE(th)):约 5.5V(典型值)
导通压降(VCESAT):约 2.1V(在 IC=28A)
输入电容(Cies):约 2900pF
输出电容(Coes):约 350pF
反向恢复时间(trr):约 150ns(配合快速二极管)
IXGT28N120B 具备多项高性能特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该器件的高击穿电压(1200V)使其适用于高电压操作环境,如电机驱动、UPS系统和太阳能逆变器等。其次,其额定集电极电流为28A,在适当的散热条件下可实现稳定的高电流操作。此外,该IGBT具有较低的导通压降(约2.1V),有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
该器件还具备良好的短路耐受能力,在特定条件下可承受高达600V的电压和28A的电流冲击,提升了系统的可靠性和安全性。IXGT28N120B 的 TO-247AC 封装设计便于安装和散热管理,适用于各种工业标准电路板布局。
另一个显著特性是其良好的开关性能。该器件的输入电容为约2900pF,输出电容为约350pF,使得其在高频开关应用中表现出色,同时其反向恢复时间约为150ns,配合快速恢复二极管使用时,能有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。
此外,IXGT28N120B 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,适应各种恶劣的工作环境,确保在高温条件下仍能保持稳定运行。
IXGT28N120B 主要应用于需要高电压、大电流开关能力的电力电子系统中。常见应用包括工业电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热系统以及各种类型的高功率电源转换器。其高可靠性和良好的热稳定性使其成为工业自动化和能源管理系统中的理想选择。此外,由于其良好的短路耐受能力,该器件也广泛用于需要高安全性和稳定性的汽车电子系统,如电动汽车(EV)充电器和车载逆变器。
IXGT28N120BD1, IXGH28N120B, IXGT40N120B