IXGT24N170A 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)生产的高功率、高压、N 沟道 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,适用于高电压和高功率应用场景。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性,具有良好的导通性能和开关性能。IXGT24N170A 的最大集电极-发射极电压(VCES)为 1700V,最大集电极电流(IC)为 24A,适用于需要高耐压和高效能的工业和能源系统。
类型:N沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):1700V
最大集电极电流(IC):24A
最大栅极-发射极电压(VGES):±20V
最大工作温度:150°C
短路耐受能力:有
封装类型:TO-247、TO-264 等
导通压降(VCEsat):典型值 2.1V(IC=24A, TJ=25°C)
输入电容(Cies):约 2000pF
开关损耗(Eon/Eoff):典型值分别为 1.5mJ 和 3.5mJ(IC=24A, TJ=25°C)
IXGT24N170A 具备多项优异的电气和热性能,确保其在高功率和高电压应用中的稳定性和可靠性。首先,该 IGBT 的高耐压能力(1700V)使其适用于高压直流(HVDC)、可再生能源系统(如太阳能逆变器)和电机驱动应用。其次,该器件具有较低的导通压降(VCEsat),有助于降低导通损耗,提高系统效率。
此外,IXGT24N170A 在设计上优化了开关特性,具备较低的开通和关断损耗,适合高频开关应用。其输入电容较小,有助于减少驱动电路的负担,提高整体系统的响应速度。该器件还具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载情况下保持稳定运行,增强系统的安全性。
在热性能方面,IXGT24N170A 采用高导热材料和优化的封装设计,具有良好的散热性能,能够适应高温工作环境,确保长期运行的可靠性。其最大工作温度可达 150°C,适用于严苛工业环境下的应用。
IXGT24N170A 主要应用于高压、高功率的电力电子系统中。典型应用包括高压直流输电(HVDC)、工业电机驱动、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、风能变流器以及感应加热设备。由于其优异的导通和开关性能,该 IGBT 非常适合用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。此外,该器件也可用于高功率电源转换器、焊接设备和电能质量调节装置等场合。
IXGT24N170T, IXGH24N170B, FOD8863, CM1200HA-12H