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IXGT24N170A 发布时间 时间:2025/8/6 7:46:37 查看 阅读:22

IXGT24N170A 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)生产的高功率、高压、N 沟道 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,适用于高电压和高功率应用场景。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性,具有良好的导通性能和开关性能。IXGT24N170A 的最大集电极-发射极电压(VCES)为 1700V,最大集电极电流(IC)为 24A,适用于需要高耐压和高效能的工业和能源系统。

参数

类型:N沟道 IGBT
  最大集电极-发射极电压(VCES):1700V
  最大集电极电流(IC):24A
  最大栅极-发射极电压(VGES):±20V
  最大工作温度:150°C
  短路耐受能力:有
  封装类型:TO-247、TO-264 等
  导通压降(VCEsat):典型值 2.1V(IC=24A, TJ=25°C)
  输入电容(Cies):约 2000pF
  开关损耗(Eon/Eoff):典型值分别为 1.5mJ 和 3.5mJ(IC=24A, TJ=25°C)

特性

IXGT24N170A 具备多项优异的电气和热性能,确保其在高功率和高电压应用中的稳定性和可靠性。首先,该 IGBT 的高耐压能力(1700V)使其适用于高压直流(HVDC)、可再生能源系统(如太阳能逆变器)和电机驱动应用。其次,该器件具有较低的导通压降(VCEsat),有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  此外,IXGT24N170A 在设计上优化了开关特性,具备较低的开通和关断损耗,适合高频开关应用。其输入电容较小,有助于减少驱动电路的负担,提高整体系统的响应速度。该器件还具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载情况下保持稳定运行,增强系统的安全性。
  在热性能方面,IXGT24N170A 采用高导热材料和优化的封装设计,具有良好的散热性能,能够适应高温工作环境,确保长期运行的可靠性。其最大工作温度可达 150°C,适用于严苛工业环境下的应用。

应用

IXGT24N170A 主要应用于高压、高功率的电力电子系统中。典型应用包括高压直流输电(HVDC)、工业电机驱动、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、风能变流器以及感应加热设备。由于其优异的导通和开关性能,该 IGBT 非常适合用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。此外,该器件也可用于高功率电源转换器、焊接设备和电能质量调节装置等场合。

替代型号

IXGT24N170T, IXGH24N170B, FOD8863, CM1200HA-12H

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IXGT24N170A参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)6V @ 15V,16A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)24A
  • 功率 - 最大250W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件