时间：2025/8/6 7:49:47
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IXGT20N120B是一款由Littelfuse公司生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，适用于高功率电子应用。这款器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性，使其在高电压和高电流应用中表现出色。IXGT20N120B特别适用于需要高效率和高性能的电力电子系统。
类型：IGBT芯片
集电极-发射极电压：1200V
集电极电流（最大）：20A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
栅极-发射极电压：±20V
短路耐受能力：6μs
导通压降：约2.1V
最大功耗：160W
IXGT20N120B具有高电压和高电流的处理能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。其先进的沟槽栅极技术和场截止技术显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体效率。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下运行而不会显著降低性能。
此外，IXGT20N120B的短路耐受能力使其在突发故障条件下能够提供额外的保护，减少设备损坏的风险。其封装设计提供了良好的散热性能，有助于维持器件在高功率应用中的可靠性。IXGT20N120B还具有较低的电磁干扰（EMI）特性，适合在对电磁兼容性要求较高的环境中使用。
IXGT20N120B广泛应用于各种高功率电子设备，包括电机驱动器、逆变器、电源转换器以及工业自动化设备。其高效率和高可靠性的特点使其成为电动汽车充电系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）和智能电网设备的理想选择。由于其良好的短路保护能力和高温度稳定性，该器件也常用于需要长时间运行且维护较少的工业控制系统中。
IXGT20N120B3, IXGH20N120B, IXGT16N120B
