IXGT10N170 时间：2025/8/6 9:56:46 阅读：25

IXGT10N170是一款由IXYS公司制造的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率和高频率应用设计。这款MOSFET的额定电压为1700V，最大连续漏极电流为10A，非常适合用于电源转换、工业电机控制和电力电子系统等领域。该器件采用了先进的平面硅技术，具备优异的导通和开关性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：1700V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：10A
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为1.8Ω
　　输入电容(Ciss)：典型值为120pF
　　输出电容(Coss)：典型值为25pF
　　反向恢复时间(trr)：典型值为150ns

特性

IXGT10N170具有多项先进特性，包括低导通电阻、高速开关性能和高耐用性。其低RDS(on)特性可减少导通损耗，提高能效。此外，该器件具备较高的dv/dt耐受能力，能够在高压和高频率条件下稳定工作。其封装设计有助于有效散热，确保在高功率应用中保持可靠性能。
　　另外，IXGT10N170的内部结构优化了开关损耗，降低了电磁干扰(EMI)，并提升了整体系统效率。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，适用于要求高可靠性的工业环境。器件的栅极驱动要求较低，可以与标准驱动电路兼容，简化了设计和应用过程。

应用

该器件广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于电力供应、工业电机驱动、UPS系统、逆变器以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）。由于其高电压和高电流能力，IXGT10N170在电力电子转换系统中发挥着重要作用，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。此外，该MOSFET也适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和谐振变换器。