时间：2025/8/6 15:41:05
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2SK118 GR是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高电流和高电压切换的电子电路中。该器件以其高效率、快速开关特性和高耐用性著称，适用于各种功率电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.04Ω（典型值）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
2SK118 GR MOSFET具有低导通电阻，可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，它具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。该器件还具有良好的热稳定性和过载能力，可以在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
其封装设计优化了散热性能，有助于将热量迅速传导至散热片，确保长时间工作的可靠性。这种MOSFET通常采用TO-220或TO-263封装形式，便于安装和散热管理。
栅极驱动特性方面，2SK118 GR的栅极电荷较低，使得驱动电路的设计更加简单且高效，适用于各种功率开关应用，包括DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。
2SK118 GR MOSFET主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制、逆变器以及各种高功率电子设备。它在开关电源（SMPS）中表现出色，常用于台式机和服务器的电源供应器中。此外，该器件还适用于工业自动化系统、电动工具和电动车的控制系统。
IRFZ44N, FDP30N06L, STP30NF06, NTD30N06L
