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IXGR72N60A3H1 发布时间 时间:2025/8/6 4:36:27 查看 阅读:23

IXGR72N60A3H1是一款由IXYS公司制造的高性能N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。它适用于各种电源管理应用,包括DC-DC转换器、电机控制、UPS系统和工业电源等。IXGR72N60A3H1采用TO-247封装,确保了良好的散热性能和机械稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):72A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.095Ω
  最大功率耗散(Ptot):300W
  栅极电荷(Qg):典型值为85nC
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXGR72N60A3H1具有多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体能效。其次,其高达600V的漏源电压能力使其适用于各种中高功率电源系统,如电源适配器、逆变器和电机驱动器。此外,该器件的最大漏极电流可达72A,使其能够处理较大的负载电流,适应高功率密度设计需求。TO-247封装提供了良好的散热性能,有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度,提高系统可靠性。
  另外,IXGR72N60A3H1的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率,从而支持更紧凑的电源设计。其快速开关特性也减少了开关过程中的能量损耗,提高了整体系统效率。此外,该器件具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性,能够在极端工作条件下提供更高的稳定性和安全性。整体而言,IXGR72N60A3H1是一款适用于高功率、高效率开关应用的高性能MOSFET。

应用

IXGR72N60A3H1广泛应用于各类高功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、电机控制电路、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、工业电源、功率因数校正(PFC)电路以及高频开关电源。由于其高电流承载能力和低导通电阻,该MOSFET特别适合用于需要高效能量转换和高可靠性的应用场景。例如,在UPS系统中,IXGR72N60A3H1可用于逆变器部分,实现高效的交流电源转换;在太阳能逆变器中,它可用于将光伏板的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。此外,该器件也常用于电机驱动和工业自动化系统,以提高能效和系统响应速度。

替代型号

IXFK72N60P、IRFP4668、STF72N60DM2、FCH76N60NSD、SiHPx72N60EFDT

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IXGR72N60A3H1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.35V @ 15V,60A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大200W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件