时间：2025/8/9 8:48:07
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K2004-01S是一款由韩国KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和高效率的性能。其SOT-23封装形式使其适用于空间受限的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：22mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
功率耗散(Pd)：1.2W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
K2004-01S MOSFET具有多项优异的电气和物理特性，使其在低电压功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这在电池供电设备和高效能电源转换电路中尤为重要。其次，该器件支持高达6A的连续漏极电流，具备良好的电流处理能力，适用于中等功率级别的应用。此外，K2004-01S采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至12V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。K2004-01S还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性，适合工业级和消费类电子产品的使用。最后，其1.2W的功率耗散能力确保在高负载条件下仍能保持稳定运行，延长了器件的使用寿命。
K2004-01S主要用于各类功率电子设备中，特别是在需要高效能和小尺寸封装的应用场景中。常见应用包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）以及便携式电子产品中的电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流处理能力，K2004-01S也常用于USB电源传输、电源适配器以及LED照明驱动电路。在工业自动化和汽车电子系统中，该MOSFET可用于控制高功率负载，如继电器、电磁阀和小型电动机。此外，K2004-01S也适用于各种低电压功率放大器和开关稳压器的设计。
Si2302DS, 2N7002K, AO3400A, FDS6675, BSS138
