时间：2025/8/5 14:21:16
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IXGR72N60A3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于需要高效率和高可靠性的应用，如电源转换器、逆变器、电机控制和工业自动化系统。该器件具有低导通电阻和高开关速度，能够在高电压和大电流条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：72A
导通电阻（Rds(on)）：0.13Ω
最大功率耗散（Ptot）：300W
栅极阈值电压（Vgs(th)）：5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXGR72N60A3 的核心特性之一是其高效的功率处理能力，使其适用于高功率密度的设计。其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具备优异的热稳定性和耐久性，可以在高温环境下保持稳定运行。高开关速度使得它适用于高频开关应用，从而减少了外部滤波元件的尺寸和成本。该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和耐用性。在封装方面，TO-247 封装提供了良好的热管理和电气连接性能，适用于各种工业和商业应用。
IXGR72N60A3 采用了先进的平面栅极技术，优化了电场分布，从而提高了器件的击穿电压和稳定性。这种设计还减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体效率。此外，该器件的封装材料具有优良的绝缘性能和机械强度，能够在恶劣的环境条件下保持良好的电气性能。
IXGR72N60A3 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器、焊接设备以及工业自动化控制系统。在开关电源中，它被用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器，以实现高效的能量转换。在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于高频 PWM（脉宽调制）控制，以实现精确的速度和扭矩调节。在太阳能逆变器中，该器件用于将光伏电池的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。此外，它还可用于高功率充电器、电池管理系统和电力电子变换器等应用，满足对高效率、高可靠性和紧凑设计的需求。
IXFH72N60P、IRFP460LC、STF72N60M2、FDPF72N60
