IXGR60N60U1 时间：2025/8/6 8:49:26 阅读：24

IXGR60N60U1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于高电压和高电流的功率电子应用。该器件结合了 MOSFET 的易驱动特性与双极晶体管的低导通压降特性，广泛应用于电机驱动、电源转换、逆变器以及工业自动化设备中。

参数

类型：N 沟道 IGBT
　　集电极-发射极电压（VCES）：600V
　　额定集电极电流（IC）：60A
　　短路电流能力：120A（最大）
　　栅极-发射极电压（VGE）：±20V
　　导通压降（VCEsat）：典型值 2.1V @ IC=60A, VGE=15V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　热阻（RthJC）：约 0.35°C/W

特性

IXGR60N60U1 的主要特性包括高电流承载能力和良好的短路耐受能力，使其在高功率应用中表现出色。
　　该 IGBT 的导通压降较低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
　　其先进的芯片设计提供了出色的开关性能，降低了开关损耗，适用于高频操作环境。
　　器件的栅极驱动要求相对较低，兼容标准的 15V 栅极驱动电路，简化了驱动电路设计。
　　此外，IXGR60N60U1 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级严苛环境。
　　TO-247 封装形式便于安装和散热管理，适合用于大功率模块和散热器设计。

应用

IXGR60N60U1 广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于电机驱动器、变频器、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电焊机、感应加热设备以及工业自动化控制系统。
　　由于其高耐压和大电流能力，该 IGBT 也常用于电动汽车充电设备和储能系统中的功率转换模块。
　　在家电领域，IXGR60N60U1 可用于电磁炉、变频空调等需要高效功率控制的设备中。
　　该器件还适用于各种电源管理系统，如 DC-AC 转换器、AC-DC 整流器和 PFC（功率因数校正）电路。