时间：2025/8/6 6:03:40
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IXFN25N80是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流N沟道MOSFET功率晶体管。该器件设计用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电源转换应用，例如在开关电源（SMPS）、电机控制、直流-直流转换器和逆变器中使用。IXFN25N80具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能，使其适用于各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大漏极电流(Id)：25A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.24Ω（最大）
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXFN25N80具有多项优异的电气和物理特性，确保其在高要求环境下的稳定运行。首先，该器件的导通电阻(Rds(on))较低，可减少导通损耗，提高系统效率。其次，其漏源电压(Vds)可达800V，允许在高压环境下可靠工作。此外，IXFN25N80支持高达25A的漏极电流，在高功率应用中表现出色。该MOSFET还具备良好的热稳定性，最大功耗为200W，能够在高负载条件下保持稳定运行。TO-247封装形式有助于提高散热效率，确保长期使用的可靠性。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)使其适应于各种恶劣工作环境。
IXFN25N80广泛应用于各种需要高压、高电流功率开关的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、光伏逆变器、直流-直流转换器、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于电动汽车充电设备和能源管理系统中，提供高效的电力转换解决方案。
IXFH24N80C, IXFP25N80, STF25N80, FCP25N80
