时间：2025/8/6 4:42:21
阅读：27
IXGR48N60B3D4A 是英飞凌（Infineon）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，属于其CoolMOS?系列。这款MOSFET采用了先进的超结（Super Junction）技术，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源应用。IXGR48N60B3D4A 的最大漏源电压（VDS）为600V，最大连续漏极电流（ID）为48A，在100°C时的导通电阻约为48毫欧，使其在高频开关应用中表现出色。
类型：功率MOSFET
拓扑结构：TO-247
最大漏源电压（VDS）：600V
最大连续漏极电流（ID）：48A
导通电阻（RDS(on)）：48mΩ
最大功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
栅极电荷（Qg）：120nC
漏源击穿电压（BVDSS）：600V
漏极电流（脉冲）：190A
IXGR48N60B3D4A 的主要特性之一是其采用的CoolMOS技术，这种技术通过优化的超结结构显著降低了导通电阻和开关损耗，从而提高了整体能效。此外，该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温度环境下稳定工作。
该MOSFET的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适合高功率应用。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频电源转换器中表现出色，有助于减小电源系统的体积和重量。
IXGR48N60B3D4A 还具有良好的短路耐受能力和抗过载能力，能够在恶劣的电气环境下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，通常在10V至15V之间，能够与多种驱动电路兼容。
IXGR48N60B3D4A 主要应用于高功率电源设备，如服务器电源、通信电源、工业电源、UPS（不间断电源）系统以及太阳能逆变器等。由于其高效能和高可靠性的特点，该器件也广泛用于电动汽车充电设备、电机驱动系统和电能质量管理系统中。
在服务器和数据中心电源系统中，IXGR48N60B3D4A 可用于DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路，帮助提高电源转换效率并降低能耗。在太阳能逆变器中，该MOSFET可用于直流侧的功率转换和交流输出的高频开关控制。
SPA40N60C3
FQA40N60
STF40N60DM2
