H27U4G8F2DTR 时间：2025/9/2 7:25:39 阅读：26

H27U4G8F2DTR是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的NAND闪存芯片，属于其广泛使用的NAND闪存产品线。该芯片的存储容量为4GB，采用8位并行接口设计，适用于需要大容量存储和高速数据传输的应用场景。这款芯片广泛应用于嵌入式系统、消费类电子产品、工业设备和存储模块中，具有较高的可靠性和稳定性。H27U4G8F2DTR采用TSSOP封装形式，适用于紧凑型设备设计，并支持多种工作温度范围，具备良好的环境适应性。

参数

容量：4GB
　　接口类型：8位并行NAND接口
　　封装类型：TSSOP
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大20MB/s
　　擦除速度：最大3ms
　　数据保持时间：10年
　　编程/擦除周期：10,000次

特性

H27U4G8F2DTR NAND闪存芯片具备多项优异特性，适用于多种应用场景。其4GB存储容量能够满足中高端嵌入式设备和消费类电子产品对数据存储的需求。采用8位并行NAND接口，使该芯片具备较高的数据传输速率，适用于需要快速读写的应用环境。芯片的TSSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，适合用于空间受限的设备设计。支持宽电压范围（2.7V - 3.6V）使该芯片能够在不同的电源环境下稳定运行，提高了系统的兼容性。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件，确保在极端温度下的稳定运行。H27U4G8F2DTR的最大读取速度可达50MB/s，写入速度可达20MB/s，能够满足对数据处理速度有较高要求的应用场景。其擦除时间为3ms，有助于提高整体存储效率。此外，该芯片支持10,000次编程/擦除周期，保证了较长的使用寿命。数据保持时间可达10年，确保数据在断电情况下的长期可靠性。

应用

H27U4G8F2DTR NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，该芯片可用于智能手机、平板电脑、数码相机和MP3播放器等设备的存储模块。在嵌入式系统中，它适用于工业控制设备、车载电子系统、安防监控设备和智能家电等应用场景。该芯片的高可靠性使其在通信设备中也有广泛应用，例如用于路由器、交换机和通信基站的存储单元。此外，该芯片还可用于存储固件、操作系统、用户数据和多媒体文件等信息，适用于需要高容量、高速度和高稳定性的各种存储应用。