时间：2025/8/6 6:39:17
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IXGR48N60B3D1是一款由IXYS公司生产的高性能功率MOSFET器件，主要用于高电压和高电流应用，例如电源转换、电机控制和工业自动化系统。该MOSFET采用了先进的技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和优异的热性能，能够有效减少能量损耗并提高系统效率。IXGR48N60B3D1的封装形式为TO-247，适合在高功率密度环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
漏极连续电流（Id）：48A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.165Ω
栅极阈值电压（Vgs(th)）：5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXGR48N60B3D1具备多项卓越特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的高开关速度能够降低开关损耗，使其适用于高频开关电路。其次，IXGR48N60B3D1具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，延长设备的使用寿命。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在异常工况下提供额外的保护，确保系统的稳定性。IXGR48N60B3D1的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，有助于提高系统的可靠性和耐用性。
此外，IXGR48N60B3D1在设计上优化了雪崩能量耐受能力，使其在电压尖峰和瞬态条件下能够保持稳定运行。这种特性使其非常适合用于工业电机控制、逆变器、开关电源（SMPS）以及太阳能逆变器等应用。
IXGR48N60B3D1广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、工业自动化设备、UPS不间断电源以及太阳能光伏逆变器。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件也常用于电动汽车充电设备和储能系统中。
IXFH48N60P、IXFN48N60Q、STW48N60DM2、IRGPC50K、FGA48N60L
