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IXGR45N120 发布时间 时间:2025/8/6 7:10:00 查看 阅读:30

IXGR45N120 是一款由 IXYS 公司制造的高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT),主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,使其在电力电子系统中表现优异。IXGR45N120专为需要高可靠性和高效能的工业应用设计,例如变频器、电机驱动、电源系统和可再生能源设备。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压:1200V
  最大集电极电流:45A
  导通压降:约2.1V(典型值)
  最大工作温度:150°C
  封装类型:TO-247
  输入电容:约1800pF
  短路耐受能力:6μs(典型值)

特性

IXGR45N120 IGBT 采用先进的沟槽栅场截止技术,提供卓越的开关性能和较低的导通压降。其高耐压能力(1200V)使其非常适合用于高电压系统中。该器件具备较强的过载和短路保护能力,可在恶劣的工作环境下保持稳定运行。此外,IXGR45N120具有低电磁干扰(EMI)特性,有助于减少系统设计中的滤波需求,提高整体效率。
  这款IGBT还具备较低的开关损耗,有助于提高系统的整体能效,尤其是在高频开关应用中。它的工作温度范围广泛,可在高达150°C的结温下稳定运行,适用于高温环境下的工业设备。其TO-247封装形式不仅便于安装和散热管理,还增强了器件的机械强度和长期可靠性。

应用

IXGR45N120 广泛应用于多种高功率电子系统中,包括工业变频器、电机控制驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电焊设备。在电机控制应用中,该IGBT能够高效地控制大功率交流或直流电机,提供平稳的转速调节和高动态响应。在可再生能源领域,IXGR45N120 常用于太阳能逆变器中,将光伏板产生的直流电转换为交流电以供电网使用。此外,它还适用于需要高可靠性和高效率的电源转换系统,如高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路。

替代型号

IXGN45N120, FGA45N120, FGH45N120

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IXGR45N120参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)90A
  • 功率 - 最大-
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件