时间：2025/8/9 8:49:53
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2SK1823-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率控制的电路中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于高频率开关应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.5A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220SIS
2SK1823-01 MOSFET采用先进的沟槽结构技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计，包括常见的12V和15V栅极驱动电源。
其低输入电容（Ciss）和快速开关特性使其适用于高频率开关应用，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
2SK1823-01还具备良好的热稳定性，得益于其封装设计（TO-220SIS）具备良好的散热性能，可在较高功率条件下稳定运行。
此外，该MOSFET具有较低的阈值电压（VGS(th)），通常在1V~2.5V之间，确保了快速且可靠的导通控制，适用于多种控制电路和逻辑接口。
其封装形式为表面绝缘型（SIS），有效增强了电气隔离能力，提高了使用安全性，适用于需要高绝缘性能的应用场合。
2SK1823-01广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。
在开关电源设计中，该MOSFET可作为主开关器件，用于高效率、高频率的拓扑结构，如Buck、Boost和Flyback变换器。
由于其良好的热性能和电气特性，该器件也常用于汽车电子系统、便携式设备电源管理电路以及LED驱动电源中。
此外，在电机控制和负载切换应用中，2SK1823-01能够提供稳定的导通状态和快速的响应时间，确保系统运行的可靠性和效率。
对于需要电气隔离和高安全性的应用，其SIS封装形式也使其成为优选器件之一。
2SK2180-01, 2SK3038-01, Si4410DY, FDS6680
