时间：2025/8/6 5:01:51
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IXGR39N60BD1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），以提高效率并减少功率损耗。其设计适用于工业控制、电源转换、电机驱动以及高功率开关应用。IXGR39N60BD1 采用 TO-247 封装，具备良好的热管理和散热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：600V
漏极-栅极电压（Vdg）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：39A
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-247
IXGR39N60BD1 的主要特性之一是其高耐压能力，漏极-源极击穿电压高达 600V，使其适用于高电压开关电路。该器件具有低导通电阻（通常为 0.13Ω 或更低），从而减少了在高电流条件下的功率损耗并提高了整体效率。
此外，IXGR39N60BD1 设计为具备高热稳定性，能够在恶劣的工作环境中保持良好的性能。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持较低的工作温度。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制系统等应用。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
另外，IXGR39N60BD1 的结构设计提供了良好的雪崩能量耐受能力，增强了其在高压瞬态条件下的可靠性，从而延长器件的使用寿命。
IXGR39N60BD1 常用于高功率电子设备中，如工业电机驱动、电源转换器（包括开关电源和 DC-DC 转换器）、逆变器、UPS（不间断电源）、电池管理系统以及高功率开关电路。由于其高电压和高电流能力，该器件也广泛应用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和工业自动化控制系统中。
IXFH38N60P, IXFP39N60P2, IRGPC50K, FGL40N60SMD
