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IXGR35N120BD1 发布时间 时间：2023/3/6 14:12:34 查看 阅读：253

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: ISOPLUS 247

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

 

目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: ISOPLUS 247

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 54 A

    封装: Tube

    配置: Single

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C

    安装风格: Through Hole


资料

厂商
IXYS

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IXGR35N120BD1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）3.5V @ 15V，35A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）54A
  • 功率 - 最大250W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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