IXGR35N120BD1
时间:2023/3/6 14:12:34
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制造商: IXYS
封装 / 箱体: ISOPLUS 247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
概述
制造商: IXYS
封装 / 箱体: ISOPLUS 247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 54 A
封装: Tube
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
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- IXGR35N120BD1
- 深圳市佳微科技有限公司
- 9000
- Maxim Integrated
- 23+/12WFBGAWLBGA
-
IXGR35N120BD1参数
- 标准包装30
- 类别分离式半导体产品
- 家庭IGBT - 单路
- 系列-
- IGBT 类型-
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)3.5V @ 15V,35A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)54A
- 功率 - 最大250W
- 输入类型标准型
- 安装类型通孔
- 封装/外壳ISOPLUS247?
- 供应商设备封装ISOPLUS247?
- 包装管件