IXGR32N170H1
时间:2023/3/6 14:55:17
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制造商: IXYS
封装 / 箱体: ISOPLUS247
概述
制造商: IXYS
封装 / 箱体: ISOPLUS247
集电极—射极饱和电压: 3.5 V
封装: Box
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- IXGR32N170H1
- 深圳市佳微科技有限公司
- 9000
- Maxim Integrated
- 23+/10XFQFN
-
IXGR32N170H1参数
- 标准包装30
- 类别分离式半导体产品
- 家庭IGBT - 单路
- 系列HiPerFAST™, Lightspeed 2™
- IGBT 类型NPT
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)5.2V @ 15V,17A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)26A
- 功率 - 最大200W
- 输入类型标准型
- 安装类型通孔
- 封装/外壳ISOPLUS247?
- 供应商设备封装ISOPLUS247?
- 包装盒