HY62V8100BLLG-85 时间：2025/9/2 4:36:47 阅读：12

HY62V8100BLLG-85 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为 8 Mbit（1024K x 8 位），采用低功耗设计和高性能 CMOS 技术。该芯片适用于需要高速存储访问和低功耗操作的嵌入式系统和工业应用。

参数

容量：8 Mbit (1024K x 8)
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：85ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：52-TSOP
　　引脚数量：52
　　数据总线宽度：8 位
　　最大工作频率：约 117MHz（基于访问时间）
　　功耗：典型值 150mA（工作模式），待机电流 < 10mA

特性

HY62V8100BLLG-85 是一款高性能、低功耗的异步 SRAM 芯片，采用先进的 CMOS 技术制造，适用于多种工业和通信应用。该器件具备高速访问能力，其访问时间为 85ns，能够支持高达约 117MHz 的工作频率，从而满足对数据存取速度要求较高的系统需求。芯片支持 2.3V 至 3.6V 的宽电压范围，增强了其在不同电源环境下的兼容性。这种宽温范围（-40°C 至 +85°C）的工业级工作温度使其适用于恶劣环境中的嵌入式设备。
　　HY62V8100BLLG-85 采用 52 引脚 TSOP 封装，体积小、重量轻，便于在空间受限的设计中使用。其异步接口设计简化了与外部控制器的连接，降低了系统设计的复杂性。此外，该芯片具备低待机电流特性，通常低于 10mA，有助于延长电池供电设备的续航时间。其高性能和低功耗的结合使其成为工业自动化、通信设备、网络设备和手持设备中的理想选择。
　　该芯片的结构设计和制造工艺确保了其在长期运行中的稳定性和可靠性。它支持高速读写操作，适用于缓存、临时数据存储以及需要快速响应的控制逻辑应用。此外，HY62V8100BLLG-85 还具备较强的抗干扰能力和良好的电气特性，适合在高电磁干扰环境中使用。