时间：2025/8/6 4:27:12
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IXGR12N60C 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统。该器件具有高击穿电压、低导通电阻以及良好的热性能，适用于各种高性能电源应用，如开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC 转换器和电池充电器等。其600V的漏源击穿电压（Vds）使其能够在中高功率环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXGR12N60C 具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其高击穿电压（600V）确保了在高压环境下的可靠运行，适合用于高输入电压的电源系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的平面技术，具有优异的开关性能和热稳定性，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度。
这款MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，能够承受瞬态过电压和过电流的冲击，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。其TO-247封装形式有助于提高散热性能，适用于需要高功率密度的设计。IXGR12N60C 在设计上兼顾了性能与可靠性，是中高功率电源应用的理想选择。
IXGR12N60C 主要用于各类功率转换设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动电路。在工业自动化和控制系统中，它可用于电源模块和电机控制单元。此外，该器件也广泛应用于电池管理系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源领域。由于其高耐压和良好的热性能，IXGR12N60C 还可用于电动汽车（EV）和充电桩等高要求的应用场景。
STP12N60M5, FQA12N60C, IRFGB40N60B
