时间：2025/6/24 1:25:13
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TESDN3V31BD92是一款高性能、低功耗的MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的电气特性和可靠性，能够在高频率和大电流环境下稳定工作。
其封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在紧凑型设计中使用。同时，该器件具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：4nC
开关时间：典型值10ns
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻设计，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 小型化封装（SOT-23），节省PCB空间。
4. 高可靠性与宽温区性能，适用于工业和汽车领域。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载切换与保护电路。
5. 各类便携式电子设备的电源管理单元。
IRLML6402
FDS6670A
BSS138
