时间：2025/8/6 5:55:59
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IXGR120N60C2 是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电流、高电压的应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和高可靠性的特点，适用于电源转换、电机控制、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等需要高效率和高性能的电路中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：120A（在TC=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：最大为8.0mΩ（典型为6.5mΩ）
栅极电荷（Qg）：约145nC（在VGS=10V时）
最大工作温度：150°C
封装形式：TO-247AC（单管封装）
IXGR120N60C2 的设计采用了先进的平面技术，以实现低导通电阻和高可靠性。该器件的导通电阻（RDS(on)）非常低，通常为6.5mΩ，最大不超过8mΩ，这使得在高电流条件下，MOSFET的导通损耗显著降低，从而提高整体效率。此外，该MOSFET的耐压能力达到600V，能够满足高电压应用的需求。其栅极驱动电压为10V时，栅极电荷（Qg）约为145nC，这种设计平衡了开关速度和功耗，使其在高频开关应用中表现良好。
该器件还具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下稳定运行，最大工作温度可达150°C。其TO-247AC封装形式具有良好的散热性能，有助于将热量从芯片传导到散热器，进一步提升系统的稳定性和可靠性。
IXGR120N60C2 还采用了优化的封装结构，减少了寄生电感和电容效应，从而提高了器件在高频率开关应用中的性能。这种优化设计有助于减少开关损耗，并降低电磁干扰（EMI）。该MOSFET在设计时也考虑到了短路耐受能力，能够在短时间的短路条件下保持安全运行。
IXGR120N60C2 适用于多种高功率电子系统，尤其是在需要高效率、高可靠性和高耐压能力的应用中。常见的应用包括电源转换器（如DC-DC转换器和AC-DC电源）、电机驱动器、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。
在电源转换器中，IXGR120N60C2 可用于高边或低边开关，其低导通电阻和高耐压能力可以显著提高转换效率并减少散热需求。在电机驱动器中，该器件能够承受高电流负载，并提供稳定的开关性能，从而提高电机控制的精度和效率。
由于其高可靠性和良好的热稳定性，IXGR120N60C2 也非常适合用于不间断电源系统，在这些系统中，MOSFET需要在高负载和高温环境下长期运行。此外，在太阳能逆变器中，该器件的高效开关性能和低损耗特性有助于将太阳能电池板产生的直流电高效转换为交流电，供给电网或负载使用。
IXFN120N60P
IXFH120N60P
