类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：300V
　　最大漏极电流（Id）：96A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 30mΩ
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-264
　　功率耗散（Pd）：500W
　　漏极电容（Coss）：约 1800pF

IXGQ96N30TBD1 具有以下主要特性：
　　1. 高电压和高电流能力：该 MOSFET 可在高达 300V 的电压下运行，并支持高达 96A 的漏极电流，适合用于高功率密度设计。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流条件下的低功耗，从而提高了系统的整体效率。
　　2. 优异的热管理性能：采用 TO-264 封装，IXGQ96N30TBD1 能够有效地散热，确保在高负载条件下依然保持稳定的性能。此外，该封装形式具备良好的机械强度，适合在恶劣的工业环境中使用。
　　3. 快速开关特性：该器件具有较低的开关损耗，能够在高频开关应用中表现出色，适用于各种 DC-DC 转换器、电机控制和功率因数校正（PFC）电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的复杂性和功耗。
　　4. 高可靠性：IXGQ96N30TBD1 在设计上考虑了长期运行的稳定性，能够在广泛的温度范围内保持一致的性能。其内部结构优化减少了热阻，从而提高了器件的耐用性和可靠性。
　　5. 广泛的保护特性：该 MOSFET 设计有内置的过热和过流保护功能，能够防止由于异常工作条件导致的损坏。这种设计不仅延长了器件的使用寿命，还提高了系统的安全性。

IXGQ96N30TBD1 被广泛应用于多个高功率电子系统中，包括：
　　1. 电源转换器：由于其高电压和高电流处理能力，该器件非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块以及功率因数校正（PFC）电路。在这些应用中，IXGQ96N30TBD1 能够提供高效的能量转换，同时保持较低的功耗。
　　2. 工业自动化和电机控制：在工业控制系统中，该 MOSFET 常用于电机驱动器和变频器中，以实现对电机速度和扭矩的精确控制。其快速开关特性和低导通电阻使其在这些高动态负载应用中表现出色。
　　3. 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中，IXGQ96N30TBD1 用于实现高效率的逆变器设计，确保在电网故障时能够迅速切换至备用电源，保持负载的持续供电。
　　4. 太阳能逆变器：在光伏系统中，该 MOSFET 可用于直流到交流的功率转换环节，提高太阳能系统的整体效率和稳定性。
　　5. 电动汽车充电设备：IXGQ96N30TBD1 的高电压和大电流能力使其适用于电动汽车充电站的功率转换模块，以支持快速充电和高效能量传输。

IXGH96N30C2D1, IXFN96N30T, IRFP460LC