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IXGQ90N33TC 发布时间 时间:2025/8/6 6:33:23 查看 阅读:13

IXGQ90N33TC是一款高压功率晶体管,主要用于高功率电子设备中。这款晶体管采用了先进的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术,具备高效的功率转换能力和良好的热稳定性。IXGQ90N33TC适用于各种工业应用,如电源供应、电机控制和电力转换系统。其设计旨在提供高可靠性和长使用寿命,适合在苛刻的工作环境中使用。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压:3300V
  最大集电极电流:90A
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  导通压降:约3.2V
  最大功耗:200W

特性

IXGQ90N33TC具有多项显著特性,使其在高压功率晶体管市场中脱颖而出。首先,其高电压和高电流能力使其适用于高功率应用,能够处理较大的电力负载。其次,该晶体管采用了先进的IGBT技术,提供了较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体效率。此外,IXGQ90N33TC的热稳定性良好,能够在高温环境下稳定工作,延长设备的使用寿命。
  该晶体管还具备优异的短路耐受能力和过载保护功能,能够在突发的电力波动中保持稳定运行,减少设备损坏的风险。其封装设计紧凑,便于安装和散热,适用于多种电路设计和布局。IXGQ90N33TC的高可靠性和耐用性使其成为工业电子设备中不可或缺的组件。

应用

IXGQ90N33TC广泛应用于多个领域,包括电力电子设备、工业自动化控制系统、电机驱动器、不间断电源(UPS)系统以及电力转换器。在电机控制应用中,该晶体管能够提供高效的功率转换,确保电机平稳运行。在电源供应系统中,IXGQ90N33TC能够处理高电压和大电流,提供稳定的电源输出。此外,该晶体管还常用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器和其他新能源技术中,以支持高效的能量转换和管理。

替代型号

IXGQ90N33T, IXGQ90N33TA, IXGQ60N33TC

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IXGQ90N33TC参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)330V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.8V @ 15V,45A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)90A
  • 功率 - 最大200W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件