时间：2025/8/6 2:50:09
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IXGQ86N60PC 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET，设计用于高电压和高电流的应用场景。这款 MOSFET 的最大漏源电压（VDS）为 600V，最大连续漏极电流（ID）为 86A，使其适用于需要高效能开关操作的工业和电力电子设备。该器件采用了 TO-247 封装形式，便于散热并适合高功率密度的设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大连续漏极电流（ID）：86A
封装类型：TO-247
栅源电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.045Ω（在 VGS = 10V 时）
IXGQ86N60PC 具备低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（600V）和大电流处理能力（86A）使其非常适合用于高功率应用，如电源转换器、电机驱动和逆变器系统。此外，该器件的 TO-247 封装设计提供了良好的热性能，确保在高负载条件下也能保持稳定运行。该 MOSFET 还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，从而提高整体系统的响应速度和能效。
为了确保在恶劣环境下的可靠性，IXGQ86N60PC 设计有较高的栅极电压耐受能力（±20V），防止因电压波动导致的意外损坏。同时，该器件的工作温度范围宽泛（-55°C 至 +150°C），使其能够在多种环境条件下稳定运行。该 MOSFET 还具备较高的短路耐受能力，进一步增强了其在高应力应用中的鲁棒性。
该器件在设计时充分考虑了易用性和兼容性，适用于多种电源管理电路，包括 DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及各种工业控制设备中的开关电路。
IXGQ86N60PC 主要应用于工业自动化设备、电源管理系统、高频开关电源、逆变器、电机控制电路以及各种高功率电子设备中。它也常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统以及电能质量改善设备。由于其高可靠性和良好的热管理性能，该 MOSFET 在电力电子领域中被广泛采用，尤其适用于需要高效能和高稳定性的应用场景。
IXFH86N60P, IXFK86N60P, IXGT86N60P
