时间：2025/8/6 4:33:18
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IXGQ35N120BD1 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、大电流 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管）功率器件。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通压降的优点，适用于需要高效能功率转换的工业应用。IXGQ35N120BD1 具有1200V的集电极-发射极击穿电压和35A的额定集电极电流，适用于高功率开关应用，例如变频器、电机驱动、电源转换系统等。该器件采用TO-247封装形式，具备良好的热稳定性和电气性能。
类型：N沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：35A
最大栅极-发射极电压（VGE）：±20V
导通压降（VCEsat）：典型值为 2.1V（在 IC=35A, VGE=15V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
短路耐受能力：具备
隔离电压（绝缘等级）：标准工业级
功率耗散（PD）：200W（最大值）
IXGQ35N120BD1 IGBT 的设计注重高可靠性和高效能功率转换。其高击穿电压（1200V）使其适用于高压系统，而额定集电极电流达到35A，确保其能够在大电流环境下稳定工作。该器件具有较低的导通压降（VCEsat），从而降低了导通损耗，提高了系统整体效率。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态故障条件下提供更高的安全裕度。
IXGQ35N120BD1 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。该封装形式也便于安装在散热器上，适用于多种工业设备。此外，其栅极驱动电压范围为 ±20V，与常见的 IGBT 驱动电路兼容，简化了驱动电路的设计。
该器件在制造过程中采用了先进的工艺技术，确保其具有良好的热稳定性和长期工作的可靠性，适用于严苛的工作环境。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种环境条件。IXGQ35N120BD1 还具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。
IXGQ35N120BD1 主要应用于需要高电压、大电流开关能力的电力电子系统中。常见的应用包括工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及电机控制设备等。由于其高击穿电压和较大的额定电流能力，该器件特别适用于需要高效功率转换和高可靠性的场合。
在变频器和伺服驱动系统中，IXGQ35N120BD1 可用于实现高效的电机控制，提供稳定的功率输出。在UPS系统中，该器件可作为DC-AC逆变器的核心开关元件，实现高效的能量转换。在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电系统中，该IGBT可用于实现高效的直流到交流的能量转换。
此外，IXGQ35N120BD1 也可用于高频开关电源、感应加热设备、智能电网设备等应用，满足多种工业和消费类电子设备对高效能功率器件的需求。
Infineon FF300R12KE3、STMicroelectronics STGW35NC120H、ON Semiconductor NGTB35N120FLWG、Toshiba GT40T102
