IXGQ100N30TC 时间：2025/8/6 6:53:52 阅读：16

IXGQ100N30TC 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高电压的应用场景设计。该器件具有较低的导通电阻、优异的开关性能和较高的可靠性，适用于工业电源、电机控制、可再生能源系统、电动车驱动器等高要求场合。这款 MOSFET 采用 TO-247AC 封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：100A
　　最大漏源电压 (Vds)：300V
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值为 22mΩ
　　栅极电荷 (Qg)：约 160nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXGQ100N30TC 是一款高性能功率 MOSFET，具有多个关键特性，适用于严苛的电力电子应用。其主要特性包括：
　　1. 低导通电阻：Rds(on) 典型值为 22mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其在大电流工作条件下表现突出。
　　2. 高电压与高电流能力：300V 的漏源耐压和 100A 的最大漏极电流，使其适用于高功率应用场景，如 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动器。
　　3. 快速开关性能：MOSFET 的开关速度较快，有助于降低开关损耗，提高整体系统的效率，同时减少对额外散热措施的依赖。
　　4. 高可靠性：采用先进的制造工艺，具有良好的热稳定性和抗冲击能力，可在高温和恶劣环境下稳定运行。
　　5. 宽工作温度范围：支持 -55°C 至 175°C 的工作温度范围，适用于工业级和汽车级应用需求。
　　6. 热稳定性设计：TO-247AC 封装提供良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中保持稳定的工作温度。
　　7. 符合 RoHS 标准：器件符合环保法规要求，适用于绿色电子设计。

应用

IXGQ100N30TC 广泛应用于需要高功率处理能力的电力电子系统中。其主要应用领域包括：
　　1. 工业电源系统：如不间断电源（UPS）、变频器、伺服驱动器和工业自动化设备。
　　2. 电机控制：适用于高功率直流电机或交流电机的驱动控制电路。
　　3. 可再生能源系统：如太阳能逆变器、风力发电变流器等，用于实现高效的能量转换和管理。
　　4. 电动车与充电桩：在电动汽车的电机控制器、车载充电器以及充电桩设备中，作为主开关元件使用。
　　5. DC-DC 转换器与功率因数校正（PFC）电路：用于高效率的电源转换系统中，提升整体能效。
　　6. 电池管理系统（BMS）：在高容量电池组中用于充放电控制和保护电路。