时间：2025/8/6 9:50:52
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IXGP7N60CD1 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和高功率应用。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻、较高的开关速度和较高的效率，适用于电源转换器、电机控制、电源管理、逆变器以及各种高电压开关电路。IXGP7N60CD1 采用 TO-247 封装形式，便于散热和安装，适用于工业级和高可靠性应用环境。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压：600V
最大连续漏极电流：7A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
栅极阈值电压：3.5V ~ 5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247
IXGP7N60CD1 具备多项高性能特性，首先其漏极-源极击穿电压高达 600V，使其适用于中高压功率转换系统，如开关电源、马达驱动器和不间断电源（UPS）。该器件的最大连续漏极电流为 7A，能够满足中功率应用对电流容量的需求。其导通电阻 Rds(on) 最大为 1.2Ω，在同类产品中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统效率。
此外，该 MOSFET 的栅极阈值电压范围为 3.5V 至 5V，兼容多种驱动电路，包括常用的微控制器或专用驱动 IC。其封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。IXGP7N60CD1 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。在设计中，该器件还具有较快的开关速度，降低了开关损耗，提高了整体系统的能效。
IXGP7N60CD1 广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制驱动器、UPS（不间断电源）、逆变器、照明镇流器以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其具备较高的击穿电压和良好的导通性能，该器件特别适合用于需要中高压和中等电流处理能力的电源管理模块。此外，在光伏逆变器和电动车充电器等新能源相关设备中，IXGP7N60CD1 也常被用作核心功率开关器件，实现高效的能量转换和控制。
STP8NK60Z, FQP7N60, IRFBC30
