IXGP70N33TB是一款由IXYS公司生产的高功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电机驱动、逆变器、电源系统及电力调节设备中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,具备高效率、高可靠性和良好的热稳定性。
类型:IGBT模块
额定集电极电流(Ic):70A
最大集电极-发射极电压(Vce):3300V
栅极-发射极电压(Vge):±20V
工作温度范围:-50°C 至 +150°C
封装类型:模块封装
短路耐受能力:有
热阻(Rth):具体值根据散热条件不同而变化
IXGP70N33TB具有卓越的导通性能和开关特性,能够在高电压和大电流条件下稳定运行。其内部结构采用先进的沟槽栅技术和场截止设计,有效降低了导通损耗和开关损耗,提高了器件的整体效率。此外,该IGBT模块具备良好的短路保护能力,能够在异常工况下保护器件不受损坏。其模块封装设计有助于提高散热效率,适用于高功率密度的应用场合。
该器件还具有优异的抗热疲劳能力,能够在频繁的温度循环中保持稳定性能,适用于如变频器、电焊机、UPS不间断电源等对可靠性要求较高的工业场景。此外,IXGP70N33TB采用了环保材料,符合RoHS指令,适用于绿色电子产品的设计需求。
IXGP70N33TB主要应用于工业自动化控制、交流变频调速系统、不间断电源(UPS)、电焊机电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及中高压电机驱动系统等。其高电压和大电流处理能力使其特别适合用于需要高功率输出的场合。
IXGP70N65B3, IXGN70N65B3, FF70R33GS9F4_B11