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LBZT52C3V6T1G 3.6V 发布时间 时间:2025/8/13 3:25:07 查看 阅读:19

LBZT52C3V6T1G 是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装(SMD)齐纳二极管(Zener Diode),其齐纳电压为3.6V。该器件广泛用于电压参考、稳压、过压保护以及电路中的电压钳位应用。采用SOD-123封装,适用于各种便携式电子设备和消费类电子产品。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压:3.6V
  容差:±5%
  最大耗散功率:200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOD-123
  最大反向漏电流(VR):100nA @ 1V
  测试电流:5mA
  

特性

LBZT52C3V6T1G 齐纳二极管具有低齐纳电压和高稳定性的特点,适用于需要精密电压参考的电路设计。该器件在小电流条件下仍能保持稳定的电压输出,适用于低功耗设计。此外,其SOD-123封装形式使得器件具有较小的PCB占用空间,适合高密度组装。该齐纳二极管还具有良好的温度稳定性和较低的动态阻抗,能够在不同的工作条件下保持一致的电压调节性能。其材料符合RoHS标准,支持绿色环保设计。
  该器件的齐纳电压在测试电流为5mA时保持稳定,确保在标准工作条件下具有良好的电压调节能力。同时,最大反向漏电流仅为100nA,在低电压工作状态下可有效减少不必要的功耗。LBZT52C3V6T1G 还具备较高的可靠性,在高温环境下仍能维持稳定工作,适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品的电压调节需求。

应用

LBZT52C3V6T1G 主要用于以下应用领域:电压参考源、低功耗稳压电路、过压保护电路、电压钳位电路、电池供电设备、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)、工业控制系统、传感器电路、电源管理模块等。该器件适用于需要稳定电压输出并节省空间的设计方案。

替代型号

BZT52C3V6S, MMSZ5236B, 1N4727A

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