类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：48A
　　最大漏-源电压：600V
　　最大栅-源电压：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.27Ω
　　最大功耗：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

IXGP48N60B3具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，它的最大漏极电流为48A，能够在高负载条件下提供稳定的性能，适用于需要大电流操作的应用。其次，该MOSFET的最大漏-源电压为600V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换器和逆变器。
　　此外，IXGP48N60B3具有较低的导通电阻（RDS(on)）为0.27Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。较低的导通电阻也意味着更少的热量产生，从而改善热管理和可靠性。该器件的栅-源电压范围为±20V，允许使用标准的栅极驱动器进行控制，同时具备较强的抗过压能力。
　　IXGP48N60B3的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，能够有效地将热量从芯片传导到外部散热器，确保在高功率工作条件下的稳定运行。其最大功耗为300W，表明其能够在高功率密度设计中提供可靠的性能。最后，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛的环境条件，如工业设备和户外电源系统。

IXGP48N60B3由于其高电压和大电流特性，广泛应用于多种电源和功率电子系统中。在电机控制领域，该器件可以用于驱动直流电机和步进电机，提供高效的功率输出并减少能量损耗。此外，在电源转换器中，IXGP48N60B3可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器以及开关电源（SMPS）设计，帮助实现高效的电能转换。
　　该器件也常用于不间断电源（UPS）系统中，作为主开关元件，确保在主电源故障时能够迅速切换到备用电源，保持电力供应的连续性。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，IXGP48N60B3可用于将直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。
　　工业自动化和控制系统也是IXGP48N60B3的重要应用领域，例如在变频器和伺服驱动器中，该器件能够提供稳定的功率输出，并支持快速的开关操作，提高系统的响应速度和能效。此外，它还可以用于焊接设备、电镀电源以及高频加热系统中，满足各种高功率需求。

STP48N60M5, FDP48N60, FGL48N60S